與傳統(tǒng)光源一樣，半導體發(fā)光二極體（LED）在工作期間也會產(chǎn)生熱量，其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下，電子和空穴的輻射復合發(fā)生電致發(fā)光，在P-N結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過芯片（chip）本身的半導體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達外界（空氣）。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、芯片外部光取出效率等，最終大概只有30-40％的輸入電能轉(zhuǎn)化為光能，其?60-70％的能量主要以非輻射復合發(fā)生的點陣振動的形式轉(zhuǎn)化熱能。

而芯片溫度的升高，則會增強非輻射復合，進一步消弱發(fā)光效率。因為，人們主觀上認為大功率 LED  沒有熱量，事實上確有。大量的熱，以至于在使用過程中發(fā)生問題。加上很多初次使用大功率LED 的人，對熱問題又不懂如何有效地解決，使得產(chǎn)品可靠性成為主要問題。那?，LED 究竟有沒有熱量產(chǎn)生呢？能產(chǎn)生多少熱量呢？ LED 產(chǎn)生的熱量究竟有多大？ 

 

LED 在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場的驅(qū)動下，克服PN 結(jié)的電場，由N 區(qū)躍遷到P 區(qū)，這些電子與P 區(qū)的空穴發(fā)生復合。由于漂移到P 區(qū)的自由電子具有高于P 區(qū)價電子的能量，復合時電子回到低能量態(tài)，多?的能量以光子的形式放出。發(fā)出光子的波長與能量差 Eg 相關(guān)。可見，發(fā)光區(qū)主要在PN 結(jié)附近，發(fā)光是由于電子與空穴復合釋放能量的結(jié)果。一?半導體二極體，電子在進入半導體區(qū)到離開半導體區(qū)的全部路程中，都會遇到電阻。簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結(jié)構(gòu)簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結(jié)構(gòu)源負極發(fā)出的電子和回到正極的電子數(shù)是相等的。普通的二極體，在發(fā)生電子－空穴對的復合是，由于能級差Eg的因素，釋放的光子光譜不在可見光范圍內(nèi)。 

 

電子在二極體內(nèi)部的路途中，都會因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學的基本定律： 

P ＝I2 R ＝I2（RN ＋＋RP ）＋IVTH 

式中：RN 是N 區(qū)體電阻 

VTH 是PN 結(jié)的開?電壓 

RP 是P 區(qū)體電阻 

消耗的功率產(chǎn)生的熱量為： 

Q ＝  Pt 

式中：t 為二極體通電的時間。 

 

本質(zhì)上，LED 依然是一?半導體二極體。因此，LED 在正向工作時，它的工作過程符合上面的?述。它所它所消耗的電功率為： 

P LED = U LED × I LED

式中：U LED 是LED 光源兩端的正向電壓 

I LED 是流過LED 的電流 

這些消耗的電功率轉(zhuǎn)化為熱量放出： 

Q＝P LED × t 

式中：t 為通電時間 

 

實際上，電子在P 區(qū)與空穴復合時釋放的能量，并不是由外電源直接提供的，而是由于該電子在N 區(qū)時，在沒有外電場時，它的能級就比P 區(qū)的價電子能級高出Eg。當它到達P 區(qū)后，與空穴復合而成為P 區(qū)的價電子時，它就會釋放出這?多的能量。Eg 的大小是由材料本身決定的，與外電場無關(guān)。外電源對電子的作用只是推動它做定向移動，并克服PN 結(jié)的作用。

 

LED 的產(chǎn)熱量與光效無關(guān)；不存在百分之幾的電功率產(chǎn)生光，其?百分之幾的電功率產(chǎn)生熱的關(guān)?。透過對大功率LED熱的產(chǎn)生、熱阻、結(jié)溫概念的理解和理論公式的推導及熱阻測量，我們可以研究大功率LED的實際封裝設計、評估和產(chǎn)品應用。需要說明的是熱量管理是在LED產(chǎn)品的發(fā)光效率不高的現(xiàn)階段的關(guān)鍵問題，從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產(chǎn)生才是釜底抽薪之舉，這需要芯片制造、LED封裝及應用產(chǎn)品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術(shù)的進步。